Field Effect Transistor

• 2SK2225-E

  • Yüksek arıza gerilimi (VDSS=1500 V) • Yüksek hızlı anahtarlama • Düşük tahrik akımı • İkincil

  Daha
• IRFP4668

  AvantajlarGeliştirilmiş Kapı, Çığ ve Dinamik dV/dt SağlamlığıTam Karakterize Edilmiş Kapasitans ve

  Daha
• VIPER12A

  VIPer12A, aynı silikon çip üzerinde özel akım modlu PWM kontrolcüsünü yüksek voltajlı Güç

  Daha
• IRFHS9351TRPBF

  Daha Düşük İletim Kayıpları Daha iyi termal dağılıma olanak tanır Artan Güç Yoğunluğu Daha Kolay

  Daha
• IRLML0030TRPBF

  Daha düşük anahtarlama kaybı Çoklu tedarikçi uyumluluğu Daha kolay üretim Çevre dostu Arttırılmış

  Daha
• Alan Etkili Transistör 2N7002ET1G

  2N7002ET1G, düşük iletkenlik direncine sahip, N-kanallı alan etkili transistör tipinde küçük bir

  Daha
• RF Gücü LDMOS Transistörleri MRFE6VP5300N

  MRFE6VP5300N, geniş bant RF Gücü LDMOS Transistörleri N--Kanal Geliştirme--Modu Yanal MOSFET'tir.

  Daha
• Güç MOSFET Güç MOSFET

  STR2P3LLH6, P Kanallı Güç MOSFET Alan Etkili Transistördür. Bu cihaz, yük anahtarı olarak veya PWM

  Daha
• ISL9V3040S3ST

  ISL9V3040S3ST, EcoSPARK® 300mJ, 400V, N-Kanal Ateşlemeli IGBT'dir ve aynı zamanda gelişmiş

  Daha
• IRF4905PBF

  IRF4905PBF MOSFET transistörü, ultra düşük dirence sahip, yüksek verimli bir elektronik bileşendir.

  Daha
• IRF3205STRLPBF

  IRF3205STRLPBF, gelişmiş proses teknolojisi, ultra düşük direnç, dinamik dv/dt derecesi ve hızlı

  Daha
• SVF4N60DTR

  SVF4N60DTR, birinci sınıf özelliklere sahip olağanüstü bir N-kanallı geliştirilmiş alan etkili

  Daha